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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
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熱壓法：ITO靶材的熱壓制作過程是在石墨或氧化鋁制的模具內(nèi)充填入適當(dāng)粉末以后，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的壓力單軸向加壓，盤錦銀粒，同時以1000℃～1600℃進行燒結(jié)。熱壓工藝制作過程所需的成型壓力較小，燒結(jié)溫度較低，燒結(jié)時間較短。但熱壓法生產(chǎn)的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均勻，從而影響了生產(chǎn)ITO薄膜的均勻性，且不能生產(chǎn)大尺寸的靶。
各種純度鋁中的雜質(zhì)含量及剩余電阻率如表2所示。超純金屬超純的純度也可以用剩余電阻率來測定，其值約為2×10-5?，F(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展趨勢是對金屬純度要求越來越高。因為金屬未能達到一定純度的情況下，銀粒技術(shù)，金屬特性往往為雜質(zhì)所掩蓋。不僅是半導(dǎo)體材料，其他金屬也有同樣的情況，由于雜質(zhì)存在影響金屬的性能。
鎢過去用作燈泡的燈絲，銀粒哪家好，由于脆性而使處理上有困難，在適當(dāng)提純之后，這種缺點即可以克服（鎢絲也有摻雜及加工問題）。
濺射技術(shù)：濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，銀?；厥眨秒x子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導(dǎo)體集成電路、太陽能光伏、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。
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第9年
