公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，啟東大電流mos，為您量身定制適合的芯片方案。

mos管有的時(shí)候也稱(chēng)作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，因?yàn)樗鼩w屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型，全名是金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱(chēng)金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種能夠普遍應(yīng)用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。依據(jù)其“通道”(工作載流子)的極性差異，可分成“N型”與“P型”的兩個(gè)類(lèi)型，也就是常說(shuō)的Nmos、Pmos。

MOS管FET柵源保護(hù)：

1）避免 柵極 di/dt 過(guò)高

因?yàn)檫x用驅(qū)動(dòng)集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會(huì)造成推動(dòng)的功率管迅速的開(kāi)啟和斷連，大電流mos廠(chǎng)家，有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動(dòng)，或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過(guò)高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問(wèn)題的產(chǎn)生，一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個(gè)電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2）避免 柵源極間過(guò)壓

因?yàn)闁艠O與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會(huì)根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會(huì)使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時(shí)柵極非常容易累積正電荷也會(huì)使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下，保護(hù) MOS 管不被穿透。

3）安全防護(hù)漏源極中間過(guò)壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護(hù)電路，一樣有可能由于器件電源開(kāi)關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，大電流mos萬(wàn)芯半導(dǎo)體，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開(kāi)關(guān)速率越快，造成的過(guò)壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護(hù)對(duì)策。

公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管是利用VGS去控制“感應(yīng)電荷”的多少，由此去改變由這些“感應(yīng)電荷”所形成的導(dǎo)電溝道的狀況，以此來(lái)控制漏極電流。在管子制造時(shí)，通過(guò)一些特殊工藝使得絕緣層出現(xiàn)大量的正離子，所以在交界面另一側(cè)可以感測(cè)出比較多的負(fù)電荷，高滲雜質(zhì)的N區(qū)被這些負(fù)電荷接通，導(dǎo)電溝道也就形成了，WP大電流mos，即便在VGS為0時(shí)也會(huì)有比較大的漏極電流ID。如果柵極電壓發(fā)生改變時(shí)，溝道里的被感應(yīng)電荷量也會(huì)發(fā)生改變，導(dǎo)電溝道中的寬窄也會(huì)隨著改變，因此漏極電流ID會(huì)伴隨著柵極電壓的變化而發(fā)生變化。