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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
主營：貴金屬材料
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任何金屬都不能達(dá)到純?！俺儭本哂邢鄬Φ暮x，是指技術(shù)上達(dá)到的標(biāo)準(zhǔn)。
由于技術(shù)的發(fā)展，也常使 “超純”的標(biāo)準(zhǔn)升級?！俺儭钡南鄬γ~是指“雜質(zhì)”，廣義的雜質(zhì)是指化學(xué)雜質(zhì)（元素）及“物理雜質(zhì)”（晶體缺陷），后者是指位錯及空位等，貴金屬復(fù)合材料哪家好，而化學(xué)雜質(zhì)是指基體以外的原子以代位或填隙等形式摻入。
但只當(dāng)金屬純度達(dá)到很高的標(biāo)準(zhǔn)時（如純度9以上的金屬），貴金屬復(fù)合材料廠家，物理雜質(zhì)的概念才是有意義的，因此目前工業(yè)生產(chǎn)的金屬仍是以化學(xué)雜質(zhì)的含量作為標(biāo)準(zhǔn)，即以金屬中雜質(zhì)總含量為百萬分之幾表示。
在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，宿州貴金屬復(fù)合材料，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外，貴金屬復(fù)合材料廠，薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，過99.995%（4N5）純度的銅靶，或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。
在使用電子照相方法的打印技術(shù)中，已經(jīng)漸進(jìn)實現(xiàn)高速打印操作、高質(zhì)量圖像形成、彩色像形成、以及成像裝置小型化，并且變得很普遍。色粉一直是這些改進(jìn)的關(guān)鍵。為滿足上述需要，必須形成精細(xì)分配的色粉顆粒，使得色粉顆粒的直徑均一，并且使得色粉顆粒呈球形。至于形成精細(xì)分配的色粉顆粒的技術(shù)，近已經(jīng)開發(fā)出直徑不超過10nm的色粉和不超過5pm的色粉。至于使色粉呈球形的技術(shù)，已經(jīng)開發(fā)出球形度99%以上的色粉。
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第9年
