MOS管FET柵源保護(hù)：

1）避免 柵極 di/dt 過高

因?yàn)檫x用驅(qū)動(dòng)集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會(huì)造成推動(dòng)的功率管迅速的開啟和斷連，有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動(dòng)，或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問題的產(chǎn)生，一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個(gè)電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2）避免 柵源極間過壓

因?yàn)闁艠O與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會(huì)根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會(huì)使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時(shí)柵極非常容易累積正電荷也會(huì)使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下，保護(hù) MOS 管不被穿透。

3）安全防護(hù)漏源極中間過壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護(hù)電路，一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，2090mos生產(chǎn)廠家，功率管電源開關(guān)速率越快，造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護(hù)對(duì)策。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，蘇州2090mos，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

     無論是NMOS或是PMOS，導(dǎo)通后都會(huì)有導(dǎo)通電阻，使得電流在電阻上耗費(fèi)一定的電能，這種耗費(fèi)叫做導(dǎo)通耗損。這時(shí)我們只要挑選導(dǎo)通電阻小的MOS管就可以減少導(dǎo)通耗損，如今的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般也就幾十毫歐的樣子，甚至幾毫歐的都有。MOS在導(dǎo)通和截至的情況下，并不是在一瞬間完成的。

      MOS兩邊的電壓有一個(gè)降低的過程，流過的電流則有一個(gè)升高的過程，在這段時(shí)間內(nèi)，電壓和電流相乘即是MOS管的損耗大小。一般開關(guān)的損耗要比導(dǎo)通的損耗要大很多，并且要是開關(guān)頻率越高，損耗就越大。導(dǎo)通瞬間的電壓和電流相乘的數(shù)值越大，導(dǎo)致其損耗也越大。如果我們能減少開關(guān)時(shí)間，就能夠減少每次導(dǎo)通時(shí)的損耗，減少開關(guān)的頻率，也就能夠減少一定時(shí)間內(nèi)開關(guān)的頻次，從而做到減少開關(guān)損耗。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，2090mos價(jià)格，為您量身定制適合的芯片方案。

我國是全世界極大的MOS器件市場(chǎng)，2020年，我國MOS器件市場(chǎng)規(guī)模約為187億元，在全世界總市場(chǎng)中的占比達(dá)到45%。我國是全世界極大的智能手機(jī)、汽車生產(chǎn)國，5G技術(shù)處于全世界的頭部位置，且新型電子產(chǎn)品不斷問世，因此MOS器件市場(chǎng)前景好，且高的性能的產(chǎn)品需求不斷上升。這些因素有利于我國圍柵硅納米線MOS器件行業(yè)發(fā)展。

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