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主營(yíng)：?jiǎn)纹瑱C(jī),MOS,大電流mos
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| 先生： |
MOS管失效的兩個(gè)主要原因：
電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOS管額定電壓，達(dá)到一定容量，造成MOS管失效。
柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成柵氧層故障。
雪崩破壞到底是什么？簡(jiǎn)單地說(shuō)，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡(jiǎn)而言之，即MOS管漏源極的電壓超過(guò)了它規(guī)定的電壓值，并且達(dá)到了某一能量極限i時(shí)所產(chǎn)生的常見(jiàn)故障。
造成柵電壓異常高的主要原因有三個(gè)：生產(chǎn)、運(yùn)輸和裝配過(guò)程中的靜電；設(shè)備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生高壓諧振；在高壓沖擊時(shí)，高壓通過(guò)Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測(cè)試時(shí)這種故障更為常見(jiàn))。
公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
用電源IC立即驅(qū)動(dòng)MOS管
一個(gè)好的MOS管驅(qū)動(dòng)電路有下面幾點(diǎn)規(guī)定：
（1）開(kāi)關(guān)管啟用瞬間，WPmos管哪家好，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能輸出非常大的電流，使MOS管柵源極間工作電壓快速升高到所需值，確保開(kāi)關(guān)管能迅速開(kāi)啟且不會(huì)有上升沿的高頻率震蕩。
（2）電源開(kāi)關(guān)通斷期內(nèi)，驅(qū)動(dòng)電路能確保MOS管柵源極間工作電壓長(zhǎng)期保持，且有效通導(dǎo)。
（3）關(guān)閉一瞬間驅(qū)動(dòng)電路，能供應(yīng)一個(gè)盡量低阻抗的通道，供MOS管柵源極間電容工作電壓的迅速泄流，確保開(kāi)關(guān)管能迅速關(guān)閉。
（4）驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)造簡(jiǎn)易靠譜、耗損小。
（5）依據(jù)具體情況開(kāi)展防護(hù)。
在控制模塊電源中，常見(jiàn)的是電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOS管。應(yīng)用中，應(yīng)當(dāng)留意較大驅(qū)動(dòng)高值電流量、MOS管的分布電容2個(gè)主要參數(shù)。電源IC的驅(qū)動(dòng)能力、MOS分布電容尺寸、驅(qū)動(dòng)電阻器電阻值都將危害MOS管電源開(kāi)關(guān)速率。假如挑選MOS管分布電容較為大，電源IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)能力又不夠時(shí)，必須在驅(qū)動(dòng)電路上提高驅(qū)動(dòng)能力，常應(yīng)用圖騰柱電源電路提升電源IC驅(qū)動(dòng)能力。
公司成立于2013年7月，WPmos管，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
MOS管在開(kāi)關(guān)電路里面起到的作用就是控制電路的通斷和信號(hào)的轉(zhuǎn)換。MOS管大致可分為兩大類(lèi)：N溝道和P溝道。
在N溝道MOS管電路里，BEEP引腳是高電平就可以導(dǎo)通使得蜂鳴器響應(yīng)，WPmos管價(jià)格，低電平則是關(guān)閉蜂鳴器。P溝道MOS管來(lái)控制GPS模塊電源的通斷，GPS_PWR引腳是低電平的時(shí)候?qū)?，GPS模塊則正常地供電，高電平時(shí)使得GPS模塊斷電。
P溝道MOS管在N型硅襯底上P+區(qū)有兩個(gè)：漏極和源極。這兩極彼此之間并不通導(dǎo)，當(dāng)在接地時(shí)源極上加有足夠的正電壓，柵極下面的N型硅表面就會(huì)浮現(xiàn)出P型的反型層，WPmos管廠家，變成連接漏極和源極的溝道。改變柵極的電壓可以使溝道里的空穴密度發(fā)生變化，因此來(lái)改變溝道電阻。這種就被稱(chēng)為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
NMOS的特性，Vgs只要大于一定的數(shù)值便會(huì)導(dǎo)通，適用在源極接地的低端驅(qū)動(dòng)的情況下，前提是柵極的電壓達(dá)到4V或著10V就行。
PMOS的特性，與NMOS相反，在Vgs只要小于一定的數(shù)值便會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接VCC時(shí)高i端驅(qū)動(dòng)的情況下。但是，由于替換種類(lèi)少，導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴等原因，盡管PMOS可以非常方便地用作在高i端驅(qū)動(dòng)的情況下，所以在高i端驅(qū)動(dòng)中，一般都還是使用NMOS。
總的來(lái)說(shuō)，MOS管有著很高的輸入阻抗，在電路中方便直接耦合，比較容易制作成為規(guī)模大的集成電路 。
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